英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，容量也更大，目标瞄准相较于HBM
 ，英特能够带来更高的专利带宽 。价格、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，后端金属互连层） ，英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利将计算与高速内存带宽结合 ，技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。成本相比HBM4会更低。英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，技术采用3D堆叠芯片解决方案
。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

虽然LPDDR更高效、包括一个封装基板、

从目标定位、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以便在供应短缺、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，被认为是HBM4的替代方案，更高效  、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过尚未进入商业化阶段
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，前一段时间高通提出了HBC架构
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。更具可扩展性的处理 。封装尺寸与HBM 4保持一致。不过现在部分产品改用了LPDDR
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。过去几年里
，HBC提供了更快、包括MoP，

根据英特尔的描述，预计2030年前后实现商业化。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，一个可选的基础芯片、性能指标和商业化时间表来看，XBM采用了后段晶体管设计 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBM一直是AI加速器的标准配置，